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龙图腾网获悉福建中伟半导体材料有限公司申请的专利一种高纯镉粉制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121360809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511920598.0，技术领域涉及：B22F1/00；该发明授权一种高纯镉粉制备工艺是由陈慧玲;王中兵设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯镉粉制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高纯镉粉制备工艺，涉及金属粉末制造技术领域。该种高纯镉粉制备工艺，包括以下步骤：S1：装料：将经蒸馏提纯的6N镉原料经杂质二次吹扫清洁后装入洁净石英坩埚，将石英坩埚放入直拉炉并密封炉门，炉门密封处加装耐高温密封垫圈，提升初始密封性。该种高纯镉粉制备工艺，在利用气雾化制粉机制备高纯镉粉时，先利用高温气体对镉液先进行破碎，接着，通过第一驱动模块驱动转动管进行转动，并带动分隔罩进行转动，使得高温破碎后的镉液能够依次进入多个冷却区进行分区快速冷却凝固，使其有更充足的时间在表面张力作用下形成规则球形，并且，能够对雾化后的粉末颗粒起到分散作用，减少颗粒之间的团聚现象，能够提高制粉的质量。

本发明授权一种高纯镉粉制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种高纯镉粉制备工艺，其特征在于：包括以下步骤： S1：装料：将经蒸馏提纯的6N镉原料经杂质二次吹扫清洁后装入洁净石英坩埚，将石英坩埚放入直拉炉并密封炉门，炉门密封处加装耐高温密封垫圈，提升初始密封性； S2：真空处理：对直拉炉分阶段抽真空，先抽至10Pa保压10min，再继续抽至0.1Pa并保压30min，确保炉内空气充分排出； S3：检漏：采用氦质谱检漏仪检测直拉炉密封性； S4：调压：向炉内分两次充入高纯度氩气，先充至0.1MPa保压5min，再补压至0.25MPa，保证炉内氩气氛围均匀稳定； S5：化料：采用阶梯式升温，先升温至300℃保温15min，再升温至镉熔点以上并保温至物料完全熔化，避免局部过热导致原料氧化； S6：稳定化：将温度精准恒温控制在450℃，温控精度±2℃，保温时间延长至60min，确保镉液成分与温度均匀； S7：引晶：选用定向籽晶进行直拉引晶，引晶速率控制在5-8mmh，保证晶种与熔体界面稳定结合； S8：放肩：以3-5mmh的速率控制晶体放肩生长，放肩角度控制在12°-15°，避免晶体产生应力裂纹； S9：等径：维持450℃恒温，以4-6mmh的等径生长速率进行晶体生长，实时监测晶体直径，偏差控制在±0.5mm内； S10：收尾：逐步降低拉速至1-2mmh对晶体进行收尾处理，收尾完成后先降温至350℃再进一步冷却，得到高纯度镉晶体； S11：停炉：关闭加热器，采用分段式降温，先随炉冷却至200℃，再通入氩气辅助降温至室温，防止晶体因骤冷产生缺陷； S12：制粉：取直拉提纯镉，经表面氧化层去除处理后，投入气雾化制粉机内制成高纯镉粉； 所述气雾化制粉机包括装置主体；所述装置主体包括壳体101、隔板102、导流嘴109、气体喷嘴110以及第一进气管105；所述装置主体还包括连接在第一进气管105侧壁的电加热环11；所述装置主体还包括用于对破碎后的镉液进行分区冷却凝固成镉粉的转动式冷却机构； 所述转动式冷却机构包括转动于雾化室104内的转动管1201、与转动管1201连通的多个分隔罩1202以及与分隔罩1202连通的多个矩形罩1203；相邻两个所述分隔罩1202之间形成冷却区；所述转动式冷却机构还包括设置于每个冷却区的用于对破碎后的镉液进行吹气冷却的吹气机构；所述转动管1201和分隔罩1202内填充有冷却液；所述转动式冷却机构还包括用于对转动管1201内的冷却液进行循环的循环机构以及用于驱动转动管1201进行转动的第一驱动模块。

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