华中科技大学叶镭获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511936461.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法是由叶镭;马辰龙;童磊;杨高琛;缪向水设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于芯片结构设计相关技术领域，更具体地，涉及一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法。本发明所涉及的动态随机存储器，具有异质集成的感存算一体结构，其中第一场效应晶体管的漏极与第二浮栅晶体管的底栅电极相连通，工作时通过对第一场效应晶体管施加脉冲电压信号以调节第二浮栅晶体管的底栅注入电荷，瞬时调控第二浮栅晶体管底栅的栅压，改变浮栅与隧穿层的势垒，改变浮栅存储层中存储的电荷数量实现调制第二浮栅晶体管的阈值电压，实现灵活的存储功能。
本发明授权一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储时间动态可调的动态随机存储器，其特征在于，包括： 第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管包括在衬底101上依次层叠设置的第一底栅电极102、第一电介质阻挡层103、第一沟道层104、第一源电极105和第一漏电极106；以及 第二浮栅晶体管，所述第二浮栅晶体管包括第二底栅电极202、第二电介质阻挡层203、浮栅存储层207、隧穿层208、第二沟道层204、第二源电极205和第二漏电极206； 其中，所述第一场效应晶体管的第一漏电极106与所述第二浮栅晶体管的第二底栅电极202通过金属连接层108相连通；使用时，通过对所述第一场效应晶体管施加脉冲电流信号以调节所述第二浮栅晶体管的第二底栅电极的注入电荷，瞬时调控所述第二浮栅晶体管底栅的栅压，改变浮栅与隧穿层的势垒以及浮栅存储层中存储的电荷数量，实现第二浮栅晶体管阈值电压的调制，从而实现灵活的存储功能。
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