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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利AEMWE电解槽用共晶高熵合金基气体扩散层及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121373468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511958958.6，技术领域涉及：B22F10/28；该发明授权AEMWE电解槽用共晶高熵合金基气体扩散层及制备方法是由蔡养川;崔妍;董文秀;冯文馨设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本AEMWE电解槽用共晶高熵合金基气体扩散层及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电解水制氢技术领域，公开了一种AEMWE电解槽用共晶高熵合金基气体扩散层及制备方法，该方法采用气雾化法制备成分为AlFeCoCrNi2.1的共晶高熵合金球形粉末；通过SLM工艺在优化参数下建立具有三维仿晶格超结构的模型；采用选区激光熔化技术，将共晶高熵合金球形粉末根据所述模型一体化成形为气体扩散层构件后进行热处理和电化学脱合金处理，以在表面形成三维双连续纳米多孔结构。本发明将新颖的高熵合金、先进的SLM增材制造技术、结构设计理念以及系统的后处理工艺相结合，成功地创造出性能优异、结构可控、制备可靠的新型EHEA基气体扩散层，推动了高性能电解水装置的发展，为产业化应用奠定了坚实的基础。

本发明授权AEMWE电解槽用共晶高熵合金基气体扩散层及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AEMWE电解槽用共晶高熵合金基气体扩散层的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： S1，采用气雾化法制备成分为AlFeCoCrNi2.1的共晶高熵合金球形粉末；所述共晶高熵合金球形粉末的制备包括： 将原子比为Al:Fe:Co:Cr:Ni=1:1:1:1:2.1的金属原料称量后，经酒精超声清洗并干燥，去除表面污染物； 将预处理后的金属原料置于真空感应熔炼炉进行真空感应熔炼，熔炼温度控制在合金液相线以上150-300℃，并反复熔炼4-6次； 采用高压气体雾化法在2-8MPa的氩气气氛下制备球形合金粉末，经过筛分获得粒径为15-53μm的共晶高熵合金球形粉末； S2，通过SLM工艺，在优化参数下建立具有三维仿晶格超结构的模型；所述仿晶格超结构采用面心立方、体心立方或多相镶嵌复合形式，杆直径为100-500μm、孔隙率为50-80%； S3，采用选区激光熔化技术，在保护气氛下，将所述共晶高熵合金球形粉末根据所述模型一体化成形为气体扩散层构件； S4，对所述气体扩散层构件进行热处理，再将气体扩散层构件在酸性溶液中进行电化学脱合金处理，以在表面形成三维双连续纳米多孔结构；所述热处理在真空下进行，以5℃min的速率升温至600-1100℃，保温1-6h；保温结束后，以2℃min的速率降温至300℃以下，随炉冷却至室温；所述电化学脱合金处理采用双电极，在0.5molL的硫酸溶液中，施加4V恒定电压持续60min。

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