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龙图腾网获悉上海羲禾科技股份有限公司申请的专利偏振模式可选的耦合结构、可调谐偏振滤波器和光子芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121410880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511972720.9，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权偏振模式可选的耦合结构、可调谐偏振滤波器和光子芯片是由田斌;冯大增设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本偏振模式可选的耦合结构、可调谐偏振滤波器和光子芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种偏振模式可选的耦合结构、可调谐偏振滤波器和光子芯片，其中，偏振模式可选的耦合结构包括：硅层；设置在所述硅层上的硅微环形谐振腔；设置于所述硅层一侧的总线波导，用于作为所述偏振模式可选的耦合结构的输入和输出，所述总线波导与硅微环形谐振腔形成耦合区；其中，所述总线波导的基模横电模偏振光，与硅微环形谐振腔的第一模式发生相位匹配和耦合；所述总线波导的基模横磁模偏振光，与硅微环形谐振腔的第二模式发生相位匹配和耦合。

本发明授权偏振模式可选的耦合结构、可调谐偏振滤波器和光子芯片在权利要求书中公布了：1.一种可调谐偏振滤波器，其特征在于，包括： 偏振模式可选的耦合结构； 设置在硅微环形谐振腔内或周边，用于调节所述硅微环形谐振腔的折射率的调谐器件； 其中，对所述调谐器件施加第一电压的情况下，使第一模式下的其中一个谐振峰与预设工作波长对准，且第二模式下的谐振峰与所述预设工作波长远离；对所述调谐器件施加第二电压的情况下，使所述第二模式下的其中一个谐振峰与预设工作波长对准，且所述第一模式下的谐振峰与所述预设工作波长远离； 其中，所述偏振模式可选的耦合结构包括：硅层； 设置在所述硅层上的硅微环形谐振腔； 设置于所述硅层一侧的总线波导，用于作为所述偏振模式可选的耦合结构的输入和输出，所述总线波导与硅微环形谐振腔形成耦合区；所述硅微环形谐振腔的波导宽度沿环路非均匀分布； 其中，所述总线波导的基模横电模偏振光，与硅微环形谐振腔的第一模式发生相位匹配和耦合；所述总线波导的基模横磁模偏振光，与硅微环形谐振腔的第二模式发生相位匹配和耦合； 所述硅微环形谐振腔的谐振波长满足：；其中，m表示一正整数；L表示硅微环形谐振腔的环长；表示工作波长；表示所述硅微环形谐振腔的谐振波长。

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