中国科学院长春光学精密机械与物理研究所梁磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利半导体光放大器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121416981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512019759.5，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权半导体光放大器及其制备方法是由梁磊;于灿;宋悦;王玉冰;雷宇鑫;邱橙;陈泳屹;曾玉刚;贾鹏;秦莉;王立军设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体光放大器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光放大器技术领域，尤其涉及一种半导体光放大器及其制备方法，半导体光放大器包括：堆叠结构，堆叠结构包括依次堆叠的N面金属电极、衬底、N包层、N波导层、有源区、P波导层、P包层以及电极接触层；设置在堆叠结构内的两个深沟槽，两个深沟槽沿第一方向间隔排布，且各深沟槽沿堆叠结构的厚度方向依次贯穿电极接触层、P包层、P波导层以及有源区并延伸至N波导层内，两个深沟槽之间的堆叠结构作为脊波导；P面金属电极，P面金属电极包括多个子电极，多个子电极在脊波导的顶面沿第二方向间隔排布，第二方向与第一方向相交。本发明至少有利于提升器件的饱和输出功率以及降低级联噪声。
本发明授权半导体光放大器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光放大器，其特征在于，包括： 堆叠结构，所述堆叠结构包括依次堆叠的N面金属电极、衬底、N包层、N波导层、有源区、P波导层、P包层以及电极接触层； 设置在所述堆叠结构内的两个深沟槽，两个深沟槽沿第一方向间隔排布，且各深沟槽沿所述堆叠结构的厚度方向依次贯穿所述电极接触层、所述P包层、所述P波导层以及所述有源区并延伸至所述N波导层内，两个深沟槽之间的所述堆叠结构作为脊波导； P面金属电极，所述P面金属电极包括多个子电极，多个子电极在所述脊波导的顶面沿第二方向间隔排布，所述第二方向与所述第一方向相交； 所述深沟槽、所述脊波导均沿所述第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向的最小夹角在80°~86°的范围内。
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