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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种基于分数阶电容的频域电磁宽频调谐激励方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121417858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512003045.5，技术领域涉及：H03J7/04；该发明授权一种基于分数阶电容的频域电磁宽频调谐激励方法是由林君;严复雪设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于分数阶电容的频域电磁宽频调谐激励方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于分数阶电容的频域电磁宽频调谐激励方法，涉及地球物理电磁法领域，通过宽频调谐电路实现，该电路包括直流电源、H桥逆变电路、发射线圈及分数阶电容。分数阶电容由两个构成电容、一个电感及两个互补导通的MOSFET开关组成，通过调节开关占空比精确控制等效容值，配合发射线圈形成宽频谐振回路。本发明设定谐振频带后，可计算并选取各组件参数，通过占空比调节使等效容值在宽范围内连续变化，无需更换器件即可实现宽频调谐，显著提升激励电流幅度，增强探测信噪比，解决了传统LC调谐频点固定、调节精度低的问题，适用于金属管线探测、地质灾害隐患识别等场景。

本发明授权一种基于分数阶电容的频域电磁宽频调谐激励方法在权利要求书中公布了：1.一种基于分数阶电容的频域电磁宽频调谐激励方法，通过宽频调谐电路实现，其特征在于，所述宽频调谐电路包括直流电源、H桥逆变电路、发射线圈及分数阶电容，包含以下步骤： S1：搭建宽频调谐电路，通过直流电源为H桥逆变电路供电，所述H桥逆变电路包括4个MOSFET器件Q1~Q4，Q1、Q4与Q2、Q3在驱动信号下交替导通，使发射线圈产生类三角波电流；所述发射线圈作为H桥逆变电路的负载，等效为RL型负载，用于向地下辐射电磁波；所述分数阶电容与发射线圈串联形成谐振回路； S2：构造分数阶电容，包括第一分数阶构成电容、分数阶构成电感L、第一MOSFET开关器件S1、第二MOSFET开关器件S2及第二分数阶构成电容；所述第一分数阶构成电容与分数阶构成电感L的一端相连作为分数阶电容输入，分数阶构成电感L的另一端与S1的S级连接，S1的S级与S2的D级连接构成半桥电路，S1的D级与的一端相连，的另一端与的另一端、S2的S级相连作为分数阶电容输出； S3：设定发射谐振频带为，根据发射频率f确定S1、S2的开关频率，n为整数且n∈[5,20]，结合计算分数阶电容的等效容值范围：，； S4：选取和的参数，其中决定等效容值的整体平移范围，决定调节幅度，满足，，为最小调节系数；选取分数阶构成电感L的参数，满足，其中为电路允许的最大电流，为允许纹波不超过电流的比例，为不允许感抗超过容抗的上限； S5：调节S1与S2的互补占空比，S1导通占空比d∈0.5,1，S2导通占空比1−d，通过公式精确控制分数阶电容的等效容值，使谐振回路在频带内连续可调谐，实现大电流激励，其中。

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