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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于FeFET构建的可重构伊辛器、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121435867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512016830.4，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权一种基于FeFET构建的可重构伊辛器、芯片是由胡薇;盛思昊;李志豪;彭春雨;卢文娟;戴成虎;吴秀龙设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于FeFET构建的可重构伊辛器、芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了基于FeFET构建的可重构伊辛器、芯片。本发明提供了可重构伊辛器，包括：计算阵列部、自旋更新部。计算阵列部包括N列基于FeFET构建的伊辛计算列，支持灵活设定不同自旋之间的相互关系，能够实现对复杂不规则自旋网络的映射；本发明的架构支持同时计算多个自旋相互作用关系，并直接对电压比较以得到自旋结果，减少了时序开销及额外设置加法器的硬件开销；本发明依据伊辛模型基于FeFET进行阵列搭建，能够进一步减小硬件开销，并得益于FeFET的非易失性，能够长期保存相关系数、减少读写消耗。

本发明授权一种基于FeFET构建的可重构伊辛器、芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于FeFET构建的可重构伊辛器，其特征在于，其包括： 计算阵列部，其包括：N列基于FeFET构建的伊辛计算列；N≥2；其中，n∈[1,N]；第n列伊辛计算列包括： 1个自旋存储单元，其用于存储1bit自旋状态； 7个系数存储单元，其与同列的自旋存储单元连接，用于存储8bit相关系数的7bit数据位、并在自旋计算时基于电荷共享输出表征带符号累加结果的单列共享电压Vcm； 1个同或单元，其与同列的7个系数存储单元连接，用于存储8bit相关系数的1bit符号位、并在自旋计算时进行同或运算以使同列的7个系数存储单元选择性放电； 1个电压生成单元，其用于在自旋计算时提供单列参考电压Vref； 其中，在每轮自旋计算时，与目标自旋存储单元相关的M列伊辛计算列工作，并使M列的Vcm经过电荷共享形成表征自旋有效场的总共享电压VCM、M列的Vref经过电荷共享形成表征0的总参考电压VREF；M≤N； 以及 自旋更新部用于：对VCM、VREF进行比较以得到新的自旋状态，并将其更新到目标自旋存储单元。

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