中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈体威获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511991185.1，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用是由陈体威;张晓东;张丽;曾中明;张宝顺设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用。所述存储器包括：氧化镓层，包括多个氧化镓沟道；源极和漏极；栅介质层，叠设在氧化镓层上；多个浮栅，与氧化镓沟道相应设置；多个控制栅，对应设置在多个浮栅上；隧穿层，设置在控制栅与浮栅之间；控制栅‑隧穿层‑浮栅组成第一电容器，浮栅‑栅介质层‑氧化镓沟道组成第二电容器，多组第一‑第二电容器的电容比不同；多控制栅等电位并联。本发明采用浮栅结构来控制沟道开启，稳定存储来自于电子的隧穿，通过调整电容比来精准控制隧穿电压，从而控制沟道的逐级开启，可实现多比特的精准编程，改变并联的控制栅的电压大小即可获得不同的存储窗口，电路复杂程度显著降低。
本发明授权多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种多比特氧化镓浮栅存储器，其特征在于，包括： 氧化镓层，包括沿第一方向依次间隔设置的多个氧化镓沟道； 源极和漏极，所述源极和漏极沿第二方向间隔设置在所述氧化镓层上，并经多个所述氧化镓沟道相互电连接，所述第一方向相交于第二方向； 栅介质层，叠设在所述氧化镓层上； 多个浮栅，沿所述第一方向依次间隔设置在所述栅介质层上，每一所述浮栅与一所述氧化镓沟道相应设置； 多个控制栅，分别对应设置在多个所述浮栅上，以及，隧穿层，设置在相对应的任一组所述控制栅与所述浮栅之间； 其中，任一组所述控制栅-隧穿层-浮栅组成第一电容器，所述浮栅-栅介质层-氧化镓沟道组成第二电容器，相应的所述第一电容器-第二电容器组成一串联电容组，多个所述串联电容组的电容比不同；且多个所述控制栅等电位并联。
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