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龙图腾网获悉西安唐晶量子科技有限公司申请的专利一种面向VCSEL外延片生产的厚度均匀性检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121529294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610044155.8，技术领域涉及：H01S5/00；该发明授权一种面向VCSEL外延片生产的厚度均匀性检测方法是由龚平;卞海蛟;侯宏波;夏天文;韩洋佳;王元设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向VCSEL外延片生产的厚度均匀性检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及厚度检测技术领域，具体涉及一种面向VCSEL外延片生产的厚度均匀性检测方法。该方法获取VCSEL外延片检测点的参考反射光谱图；根据参考层与谐振腔层的分布特征获取干扰程度；基于VCSEL外延片每层的预设厚度和折射率色散关系获取理论反射光谱图；根据理论反射光谱图与参考反射光谱图中的反射强度差异和干扰程度，获取偏差程度；调整预设厚度，获取每次调整后对应的偏差程度，直至偏差程度满足停止条件，将最终调整中谐振腔层对应的预设厚度，作为检测点的参考厚度，对VCSEL外延片生产的厚度均匀性进行检测。本发明通过准确获取每个检测点的参考厚度，有效提高了对VCSEL外延片厚度均匀性分析的准确性。

本发明授权一种面向VCSEL外延片生产的厚度均匀性检测方法在权利要求书中公布了：1.一种面向VCSEL外延片生产的厚度均匀性检测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 获取VCSEL外延片表面每个检测点的参考反射光谱图； 将VCSEL外延片中除谐振腔层外的其他层均作为参考层，根据每个参考层与谐振腔层的标准光谱曲线相似情况、位置分布情况和预设厚度差异，以及每个波长下每个参考层的标准光谱曲线中的反射强度、每个波长在谐振腔层的标准光谱曲线中与波峰对应波长的差异，获取每个波长下每个参考层对谐振腔层的干扰程度； 基于VCSEL外延片每层的预设厚度和折射率色散关系，获取预设厚度组的理论反射光谱图；基于干扰程度获取每个波长的参考程度；根据每个波长下理论反射光谱图与参考反射光谱图中的反射强度差异和每个波长的参考程度，获取预设厚度组与对应检测点的偏差程度； 调整预设厚度，获取每次调整后的预设厚度组与每个检测点的偏差程度，直至偏差程度小于预设偏差程度阈值，停止调整预设厚度，将最终调整中谐振腔层对应的预设厚度，作为对应检测点的参考厚度； 基于参考厚度对VCSEL外延片生产的厚度均匀性进行检测； 所述干扰程度的获取方法为： 根据每个参考层与谐振腔层的标准光谱曲线相似情况、位置分布情况和预设厚度差异，获取每个参考层对谐振腔层的影响程度； 根据每个波长下每个参考层的标准光谱曲线中的反射强度，以及每个波长在谐振腔层的标准光谱曲线中与最近波峰对应波长的差异，获取每个波长下每个参考层对谐振腔层的干扰分析值； 将每个波长下每个参考层对谐振腔层的干扰分析值和每个参考层对谐振腔层的影响程度的乘积进行归一化的结果，作为每个波长下每个参考层对谐振腔层的干扰程度； 所述影响程度的获取方法为： 对于任一参考层，通过定积分获取该参考层与谐振腔层的标准光谱曲线的差值绝对值，作为光谱差异；将所述光谱差异进行负相关且归一化的结果，作为该参考层对谐振腔层的第一影响分析值； 将该参考层与光源之间存在的层数作为第一数量；将谐振腔层与光源之间存在的层数作为第二数量；将第一数量与第二数量的比值，作为该参考层对谐振腔层的第二影响分析值； 将该参考层的预设厚度与谐振腔层的预设厚度的比值，作为该参考层对谐振腔层的第三影响分析值； 将第一影响分析值、第二影响分析值和第三影响分析值的乘积，作为该参考层对谐振腔层的影响程度； 所述干扰分析值的获取方法为： 获取谐振腔层的标准光谱曲线中每个波峰对应的波长，均作为敏感波长； 对于任一波长，获取该波长与每个敏感波长的差异，均作为分析差异； 对于任一参考层，将最小的分析差异的负相关结果和该波长下该参考层的标准光谱曲线中的反射强度的乘积，作为该波长下该参考层对谐振腔层的干扰分析值。

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