浙江创芯集成电路有限公司张雷获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利电容结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610045354.0，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权电容结构及其形成方法是由张雷;许凯;高大为设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：形成第一金属极板；在所述第一金属极板上形成第一氮化钛层，所述第一氮化钛层的热膨胀系数小于所述第一金属极板的热膨胀系数；在所述第一氮化钛层上形成介质叠层，所述介质叠层中所有层均为含氮材料层，且热膨胀系数均小于所述第一氮化钛层的热膨胀系数，其中，自所述介质叠层的中间子层至所述介质叠层的边缘子层，热膨胀系数逐层增大；在所述介质叠层上形成第二氮化钛层，所述第二氮化钛层的热膨胀系数大于所述介质叠层中所有层的热膨胀系数；在所述第二氮化钛层上形成第二金属极板，第二金属极板的热膨胀系数大于第二氮化钛层的热膨胀系数。采用上述方案，能够提高电容结构的质量。
本发明授权电容结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成第一金属极板； 在所述第一金属极板上形成第一氮化钛层，所述第一氮化钛层的热膨胀系数小于所述第一金属极板的热膨胀系数； 在所述第一氮化钛层上形成介质叠层，所述介质叠层中所有层均为含氮材料层，且热膨胀系数均小于所述第一氮化钛层的热膨胀系数，其中，自所述介质叠层的中间子层至所述介质叠层的边缘子层，热膨胀系数逐层增大； 在所述介质叠层上形成第二氮化钛层，所述第二氮化钛层的热膨胀系数大于所述介质叠层中所有层的热膨胀系数； 在所述第二氮化钛层上形成第二金属极板，所述第二金属极板的热膨胀系数大于所述第二氮化钛层的热膨胀系数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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