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龙图腾网获悉上海乐瓦微电子科技有限公司申请的专利一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548091B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610073350.3，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法是由邹兆一;李学会设计研发完成，并于2026-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法，包括在形成沟槽的半导体衬底上，采用原子层沉积工艺共形沉积一层非晶态金属硅化物前驱体薄膜；随后，对所述前驱体薄膜进行两步连续的等离子体原位转换处理：首先，在含氧或含氮气氛下，施加一个随时间动态调控的射频偏压，将紧邻衬底的部分前驱体薄膜原位转换为栅极介电层；然后，在惰性气氛下，施加低频高功率的射频偏压，通过高能离子注入诱导剩余前驱体薄膜发生固态相变。本发明通过一体化的低温原位转换工艺，不仅简化了制备流程，降低了整体热预算，还从根本上消除了多晶硅耗尽效应，获得了由高性能栅极介电层和金属硅化物导体构成的栅结构。

本发明授权一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在半导体衬底中刻蚀形成沟槽； S2：采用原子层沉积工艺，在所述沟槽内共形沉积一层非晶态金属硅化物前驱体薄膜，其中通过调控所述原子层沉积工艺中金属源与硅源的循环比，控制所述非晶态金属硅化物前驱体薄膜中金属与硅的原子比为1:2至1:4； S3：对所述非晶态金属硅化物前驱体薄膜进行两步连续的等离子体原位转换处理： 界面介电层可编程转换：在通入含氧或含氮的反应气体环境下，对所述半导体衬底施加一个随时间动态调控的射频偏压，将紧邻所述半导体衬底的一层所述非晶态金属硅化物前驱体薄膜原位转换为栅极介电层；其中，所述动态调控包括：在初始阶段施加频率为60-100MHz、功率为10-40W的射频偏压，随后将频率降低并将功率升高； 体层导体化相变转换：在通入惰性气体环境下，对所述半导体衬底施加一个低频高功率的射频偏压，将剩余的所述非晶态金属硅化物前驱体薄膜原位转换为栅极导体；其中，所述低频高功率的射频偏压的频率为2-13.56MHz，功率为200-600W； S4：去除所述沟槽外的所述栅极介电层和所述栅极导体，形成沟槽栅。

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