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龙图腾网获悉常州市朗捷电子有限公司申请的专利应用于低热阻大功率贴片式芯片封装工艺及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548331B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610058016.0，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权应用于低热阻大功率贴片式芯片封装工艺及设备是由朱江杰设计研发完成，并于2026-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于低热阻大功率贴片式芯片封装工艺及设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于低热阻大功率贴片式芯片封装工艺及设备，属于芯片封装技术领域。方法包括在真空环境中对芯片基板进行等离子体表面活化处理，构建智能预处理系统；配置复合导热材料，控制材料配比与涂布厚度；采用多阶段温度压力曲线完成芯片贴装，形成初始封装结构；在回流焊炉中实施梯度升温工艺，通过红外热成像仪实时监测温度分布，使用神经网络算法动态调整加热参数；对完成焊接的芯片进行三维扫描检测，获得低热阻大功率贴片式芯片成品。本发明通过全流程质量闭环控制，大幅提升芯片与基板结合力、散热效率及封装精度，降低人工成本，避免芯片高温损伤，适配高端电子设备需求。

本发明授权应用于低热阻大功率贴片式芯片封装工艺及设备在权利要求书中公布了：1.一种应用于低热阻大功率贴片式芯片封装工艺，其特征在于，包括： S1：在真空环境中对芯片基板进行等离子体表面活化处理，通过光学传感器实时监测表面粗糙度，构建智能预处理系统； S2：在所述智能预处理系统控制下配置纳米银胶-石墨烯复合导热材料，使用多级供料系统控制材料配比与涂布厚度； S3：将芯片通过定位机械手转移至基板焊盘，采用多阶段温度压力曲线完成芯片贴装，形成初始封装结构； S4：根据所述初始封装结构，在回流焊炉中实施梯度升温工艺，通过红外热成像仪实时监测温度分布，使用神经网络算法动态调整加热参数，具体步骤为： S41：通过多区域温度传感器采集整个回流焊炉的热场分布数据； S42：将温度分布图输入预训练的卷积神经网络模型，得到热场优化建议值； S43：基于所述热场优化建议值调整各加热区功率输出； S44：实时更新温度曲线并通过反向传播算法修正模型权重参数； S45：生成包含热场均匀性指标的质量报告并存储最优参数组合； S5：对完成焊接的芯片进行三维扫描检测，筛选合格产品作为下一批次基准样本，形成质量闭环控制，对残留助焊剂采用气相清洗处理； S6：将清洗后芯片输入微波-真空联合固化设备，低温固化结合惰性气体保护，获得低热阻大功率贴片式芯片成品。

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