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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于9T-SRAM的双位线存内计算单元、电路、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121560824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610094659.0，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权基于9T-SRAM的双位线存内计算单元、电路、芯片是由彭春雨;徐士杰;郭嘉婷;向鲁斌;龚枭博;李志豪;李太昊;蒋子立;杨明设计研发完成，并于2026-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于9T-SRAM的双位线存内计算单元、电路、芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了基于9T‑SRAM的双位线存内计算单元、电路、芯片，涉及SRAM电路设计技术领域。本发明针对2bit激活值和1bit权重的最高16行乘累加计算设计了9T存储单元，引入两个反相器来基于单根位线产生相反的控制信号S和S'；S与2bit激活值通过相应的与门进行与操作、S'与2bit激活值与相应的与门进行与操作，来控制向9T存储单元输入2bit激活值以进行相应的位线放电，从而将可参与放电的位线从只有位线BL增加到两条位线BL、BLB，显著提高线性度；并且利用S、S'还通过输出控制部控制相应的位线接通5位模数转换器进行低5位量化，S的状态则直接得到最高位量化值，能够减少一半的面积和功耗。

本发明授权基于9T-SRAM的双位线存内计算单元、电路、芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于9T-SRAM的双位线存内计算单元，其特征在于，其包括： 1列16个9T存储单元，其共用同一根位线BL、同一根位线BLB；第k+1个9T存储单元包括：6T存储部6T-SRAM[k]、3T计算部3T-Cal[k]；6T-SRAM[k]设置有存储节点Q[k]、QB[k]，用于存储1bit权重W[k]；3T-Cal[k]设置有2条放电路径，并依据W[k]、输入信号RWL[k]、输入信号RWLB[k]进行切换；k∈[0,15]； 2个反相器INV1~INV2；INV1的输入端连接BL，输出端用于输出控制信号S以表征第6位量化结果OUT5；INV2的输入端连接S，输出端用于输出反相信号S'；INV1的翻转电压设置为：乘累加值MAC=24时对应的位线电压； 16个与门AND1[0]~AND1[15]；AND1[k]的输入端一连接S'、输入端二连接2bit激活值INPUT[k]、输出端用于输出RWL[k]； 16个与门AND2[0]~AND2[15]；AND2[k]的输入端一连接S、输入端二连接INPUT[k]、输出端用于输出RWLB[k]；以及 1个输出控制部OUT_Con，其用于：将BL、BLB与5位模数转换器5bit_ADC连接以得到低5位量化结果OUT4:0；OUT_Con受S、S'控制；当S为0、S'为1，BL与5bit_ADC接通；当S为1、S'为0时，BLB与5bit_ADC接通。

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