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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利静电放电保护器件及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568436B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610083935.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电保护器件及芯片是由朱晓萌;鲍贤贤设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电放电保护器件及芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种静电放电保护器件及芯片，所述器件包括：衬底；位于衬底内P型区与N型区；位于P型区内的第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第一P型掺杂区与第二P型掺杂区，第二P型掺杂区位于第一N型掺杂区与第二N型掺杂区之间，第一N型掺杂区位于第一P型掺杂区与第二P型掺杂区之间；位于N型区内的第三N型掺杂区与第三P型掺杂区；栅极，位于第一N型掺杂区与第二P型掺杂区之间的区域上方；其中，栅极与第二P型掺杂区相连接，第二N型掺杂区与第一P型掺杂区相连接作为静电放电保护器件的负极，第一N型掺杂区、第三N型掺杂区与第三P型掺杂区相连接作为所述静电放电保护器件的正极。本发明能够降低器件的触发电压，提升保持电流。

本发明授权静电放电保护器件及芯片在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护器件，其特征在于，包括： 衬底； P型区，位于所述衬底内； N型区，位于所述衬底内，所述N型区与所述P型区相邻设置； 第一N型掺杂区，位于所述P型区中； 第二N型掺杂区，位于所述P型区中，所述第二N型掺杂区位于第一N型掺杂区远离所述N型区的一侧； 第一P型掺杂区，位于所述P型区中，所述第一P型掺杂区位于所述第二N型掺杂区远离所述N型区的一侧； 第二P型掺杂区，位于所述P型区中，所述第二P型掺杂区位于所述第一N型掺杂区与所述第二N型掺杂区之间； 第三N型掺杂区，位于所述N型区中； 第三P型掺杂区，位于所述N型区中，所述第三P型掺杂区位于所述第三N型掺杂区远离所述P型区的一侧； 栅极，位于所述第一N型掺杂区与所述第二P型掺杂区之间的区域上方； 其中，所述栅极与所述第二P型掺杂区相连接，所述第二N型掺杂区与所述第一P型掺杂区相连接作为所述静电放电保护器件的负极，所述第一N型掺杂区、所述第三N型掺杂区与所述第三P型掺杂区相连接作为所述静电放电保护器件的正极。

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