合肥晶合集成电路股份有限公司朱海龙获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610088108.3，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构是由朱海龙;罗承先;李嘉伦设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构；其中，所述方法包括：在选中的半导体衬底上，依次沉积衬底氧化层、衬底氮化硅层、牺牲层、底部抗反射涂层和光刻胶，并通过光刻工艺形成图案化的牺牲层；在图案化的牺牲层上依次沉积预设厚度的研磨阻挡层和第一电介质层，通过化学机械研磨工艺处理第一电介质层并通过刻蚀工艺去除研磨阻挡层，先后形成逻辑区的沟道以及像素区的沟道；沉积第二电介质层并化学机械研磨，最终得到双浅沟道隔离结构。本发明公开的技术方案，解决了现有技术中存在的产生氮化硅残留以及逻辑区域、像素区域的氧化硅高度不同的技术问题。
本发明授权一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种制造双浅沟道隔离的方法，其特征在于，包括以下步骤： 在选中的半导体衬底上，依次沉积衬底氧化层、衬底氮化硅层、牺牲层、底部抗反射涂层和光刻胶，并通过光刻工艺形成图案化的牺牲层，以定义逻辑区和像素区的沟道； 在图案化的牺牲层上依次沉积预设厚度的研磨阻挡层和第一电介质层，并通过化学机械研磨工艺处理所述第一电介质层，研磨停止于所述研磨阻挡层； 通过刻蚀工艺对所述研磨阻挡层的多余部分进行去除处理，去除处理后仅保留化学机械研磨工艺处理后的第一电介质层下方的研磨阻挡层部分； 用光刻胶覆盖像素区，并通过刻蚀工艺蚀刻形成逻辑区的沟道；去除覆盖像素区的光刻胶，并通过刻蚀工艺蚀刻形成像素区的沟道； 在逻辑区的沟道以及像素区的沟道内沉积第二电介质层，并通过化学机械研磨工艺处理所述第二电介质层，使得逻辑区和像素区最上方的衬底氮化硅层的高度保持一致，得到双浅沟道隔离结构。
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