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龙图腾网获悉麦峤里(上海)半导体科技有限责任公司申请的专利一种基于ac-SPV测量半导体耗尽层复合寿命和反型层界面态复合寿命的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121578085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610100338.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于ac-SPV测量半导体耗尽层复合寿命和反型层界面态复合寿命的方法是由施朱斌;刘相华设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于ac-SPV测量半导体耗尽层复合寿命和反型层界面态复合寿命的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于ac‑SPV测量半导体耗尽层复合寿命和反型层界面态复合寿命的方法，包括以下步骤：建立半导体在强反型状态下的等效电路模型，所述等效电路模型将半导体的表面响应表征为并联的耗尽层电容、耗尽层复合电导、反型层电荷存储电容和反型层电荷转移电导；固定入射激光的光强，在多个调制频率f下进行测量，获得每个频率点下的ac‑SPV信号；将测量的信号转换为总电导和总电容；结合已知的和，从总电导中分离出耗尽层复合电导和反型层电荷转移电导；将多组ω及其对应的数据代入公式进行曲线拟合，得到耗尽层复合寿命；将多组ω及其对应的数据代入公式进行曲线拟合，得到反型层界面态复合寿命。

本发明授权一种基于ac-SPV测量半导体耗尽层复合寿命和反型层界面态复合寿命的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于ac-SPV测量半导体耗尽层复合寿命和反型层界面态复合寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤： 建立半导体在强反型状态下的等效电路模型，所述等效电路模型将半导体的表面响应表征为并联的耗尽层电容、耗尽层复合电导、反型层电荷存储电容和反型层电荷转移电导；所述等效电路模型的总导纳表示为：，其中，反型层电荷存储电容和耗尽层电容为根据结构参数确定的已知量； 进行调制频率扫描实验：固定入射激光的光强，在多个调制频率f下进行测量，对应角频率ω=2πf，获得每个频率点下的ac-SPV信号； 基于所述等效电路模型和公式，将测量的信号转换为总电导和总电容，为光生电流密度； 根据，结合已知的耗尽层电容和反型层电荷存储电容，从总电导中分离出耗尽层复合电导和反型层电荷转移电导； 将多组ω及其对应的数据代入进行曲线拟合，得到耗尽层复合寿命τw； 将多组ω及其对应的数据代入进行曲线拟合，得到反型层界面态复合寿命τinv。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人麦峤里(上海)半导体科技有限责任公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢12层(产证楼层为11层)1203工位；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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