台湾积体电路制造股份有限公司黄怀莹获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体装置与记忆体单元获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224036088U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520562422.1，技术领域涉及：G11C11/40；该实用新型记忆体装置与记忆体单元是由黄怀莹;林佑明设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体装置与记忆体单元在说明书摘要公布了：本揭露是关于一种记忆体装置与记忆体单元。本文中所描述的实施例为关于内容可定址记忆体contentaddressablememory，CAM。一示例CAM装置包含安置于前段层上方的后段层。多个CAM单元设置于装置中，其中每一CAM单元包含储存部分及比较部分。在该示例CAM装置中，CAM单元中的每一CAM单元的储存部分安置于FEOL层中，且CAM单元中的每一CAM单元的比较部分安置于BEOL层中。
本实用新型记忆体装置与记忆体单元在权利要求书中公布了：1.一种记忆体装置，其特征在于，包含： 一前段层及安置于该前段层上方的一后段层；及 多个内容可定址记忆体单元，各该内容可定址记忆体单元包含一储存部分及一比较部分， 其中所述多个内容可定址记忆体单元中的各该内容可定址记忆体单元的该储存部分安置于该前段层中，且所述多个内容可定址记忆体单元中的各该内容可定址记忆体单元的该比较部分安置于该后段层中。
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