宜矽源半导体南京有限公司胡洛阳获国家专利权
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龙图腾网获悉宜矽源半导体南京有限公司申请的专利一种充电反接情况下高边放电MOS保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037112U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520506288.3，技术领域涉及：H02J7/68；该实用新型一种充电反接情况下高边放电MOS保护电路是由胡洛阳;陈铭设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种充电反接情况下高边放电MOS保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种充电反接情况下高边放电MOS保护电路，属于电池管理系统BMS技术领域，包含第一MOS管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一开关二极管D1、第一稳压二极管Z1。该电路通过增加放电回路关闭模块，能够在充电器反接的异常情况下，自动检测并关闭放电回路，从而保护电路中的关键器件如MOS管免受过流冲击导致的损坏。
本实用新型一种充电反接情况下高边放电MOS保护电路在权利要求书中公布了：1.一种充电反接情况下高边放电MOS保护电路，包含第一MOS管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一开关二极管D1、第一稳压二极管Z1，其中第一MOS管Q1的漏极通过第一电阻R1连接到高边放电输出信号DSG，第一MOS管Q1的源极与第一稳压二极管Z1的阳极、第二电阻R2的一端、充电器输入正极PACK+相连，第一MOS管Q1的栅极与第一稳压二极管Z1的阴极、第二电阻R2的另一端相连并通过第三电阻R3连接到第一开关二极管D1的阴极，第一开关二极管D1的阳极连接到充电器输入负极PACK。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宜矽源半导体南京有限公司，其通讯地址为：210039 江苏省南京市雨花台区证大喜玛拉雅G栋809室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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