合肥晶合集成电路股份有限公司郑琅琅获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体测试结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224037816U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520571002.X，技术领域涉及：H10P74/00；该实用新型半导体测试结构是由郑琅琅;郭廷晃;胡迎宾;刘亚东;朱炎设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体测试结构，包括多个伪栅和呈二维阵列排布的多个测试单元，且相邻两个测试单元间隔设置，所述测试单元包括位于衬底内的有源区以及位于所述有源区上的栅极；多个伪栅位于所述衬底上，且所述伪栅设置于沿第一方向相邻的两个所述测试单元的所述栅极之间，其中，所述栅极的延伸方向为第二方向，且所述第一方向和所述第二方向相互垂直。本申请通过设置相互间隔且呈二维阵列排布的多个测试单元，并于沿第一方向相邻的两个所述测试单元的栅极之间设置多个伪栅，减小了半导体测试结构内的栅极面积和栅极密度，从而降低后续进行的平坦化处理过程中由于过磨导致的栅极高度过低的风险，进而提升半导体测试结构的良率和稳定性。
本实用新型半导体测试结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 呈二维阵列排布的多个测试单元，且相邻两个所述测试单元间隔设置，所述测试单元包括位于衬底内的有源区以及位于所述有源区上的栅极； 多个伪栅，位于所述衬底上，且所述伪栅设置于沿第一方向相邻的两个所述测试单元的所述栅极之间，其中，所述栅极的延伸方向为第二方向，且所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
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