杭州士兰集成电路有限公司逯永建获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰集成电路有限公司申请的专利氮化镓晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111081772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911407484.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权氮化镓晶体管及其制造方法是由逯永建;贾利芳;肖金平;闻永祥;李东昇设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氮化镓晶体管及其制造方法，包括：在势垒层上方的第一区域形成栅叠层，栅叠层包括栅极结构层以及位于栅极结构层和势垒层之间的第一插入层；以及在势垒层上方的第二区域形成第一空穴注入层，第一区域和第二区域彼此隔开，其中，形成栅叠层的步骤包括采用第一抗蚀剂掩膜对硬掩膜层进行图案化、采用第一抗蚀剂掩膜对掺杂层图案化以形成栅极结构层、以及采用硬掩膜层对插入层图案化以形成第一插入层。该制造方法将硬掩膜层用于后续的图案化工艺，可以避免多次光刻的错位，以简化氮化镓晶体管的制造工艺以及提高产品良率。该氮化镓晶体管采用第一空穴注入层向沟道层中注入电荷以释放陷阱能级捕获的电子，因而可以获得稳定的导通电阻。
本发明授权氮化镓晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓晶体管的制造方法，包括： 在衬底上形成势垒层； 在所述势垒层上方的第一区域形成栅叠层，所述栅叠层包括栅极结构层以及位于所述栅极结构层和所述势垒层之间的第一插入层；以及 在所述势垒层上方的第二区域形成第一空穴注入层，所述第一区域和所述第二区域彼此隔开， 其中，所述形成栅叠层的步骤包括采用第一抗蚀剂掩膜对硬掩膜层进行图案化、采用所述第一抗蚀剂掩膜对掺杂层图案化以形成所述栅极结构层、以及采用所述硬掩膜层对插入层图案化以形成所述第一插入层； 在采用所述硬掩膜层对插入层图案化以形成所述第一插入层的同时，采用第二抗蚀剂掩膜对所述插入层图案化以形成所述第一空穴注入层。
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