台湾积体电路制造股份有限公司张盟升获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器阵列的布局结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010342168.6，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权存储器阵列的布局结构是由张盟升;杨耀仁;周绍禹;王奕设计研发完成，并于2020-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列的布局结构在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及存储器阵列的布局结构。本发明实施例涉及一种布局方法，其包含：形成具有第一行及第二行的存储器阵列的布局结构，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元；在所述第一行与所述第二行之间安置字线；跨所述字线安置多个控制电极用于分别连接所述第一行的所述多个存储单元及所述第二行的所述多个存储单元；在位于所述字线的第一侧上的所述多个控制电极中的第一控制电极上安置第一切割层；及在位于所述字线的第二侧上的所述多个控制电极中的第二控制电极上安置第二切割层；其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。
本发明授权存储器阵列的布局结构在权利要求书中公布了：1.一种布局方法，其包括： 形成具有第一行及第二行的存储器阵列的布局结构，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元； 在所述第一行与所述第二行之间安置字线； 跨所述字线安置多个控制电极用于分别连接所述第一行的所述多个存储单元及所述第二行的所述多个存储单元； 在位于所述字线的第一侧上的所述多个控制电极中的第一控制电极的第一部分上安置第一切割层，使得所述第一控制电极的所述第一部分与所述字线分离；及 在位于所述字线的第二侧上的所述多个控制电极中的第二控制电极的第二部分上安置第二切割层，使得所述第二控制电极的所述第二部分与所述字线分离； 其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。
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