晶元光电股份有限公司王种皓获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利光电半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010789981.8，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权光电半导体装置是由王种皓;王郁琪;陈怡名;邱毅扬;林俊宇设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种光电半导体装置，其包括一半导体叠层、一电极以及多个接触部。半导体叠层具有一第一型半导体结构、一活性结构位于第一型半导体结构上及一第二型半导体结构位于活性结构上。第一型半导体结构具有一第一凸部、一第二凸部及一凹部位于第一凸部及第二凸部之间，且半导体叠层具有一厚度。电极位于第二型半导体结构上，并具有一部分对应于第一凸部。多个接触部位于第一型半导体结构下方并与第一型半导体结构接触，电极与最接近电极的多个接触部之一在一水平方向上具有一第二距离，且第二距离与厚度的比值大于5。
本发明授权光电半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种光电半导体装置，其特征在于，包括： 半导体叠层，具有第一型半导体结构、活性结构位于该第一型半导体结构上及第二型半导体结构位于该活性结构上，该第一型半导体结构具有第一凸部、第二凸部及凹部位于该第一凸部及该第二凸部之间，且该半导体叠层具有第一厚度； 电极，位于该第二型半导体结构上，并具有一部分对应于该第一凸部；以及 第一接触结构，具有多个接触部，位于该第一型半导体结构下方并与该第一型半导体结构接触，该电极与最接近该电极的该多个接触部之一在一水平方向上具有第二距离； 其中，该第二距离与该第一厚度的比值大于5。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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