株式会社半导体能源研究所肥塚纯一获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112385021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980042911.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置的制造方法是由肥塚纯一;神长正美;井口贵弘;中泽安孝设计研发完成，并于2019-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。形成半导体层，在半导体层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成金属氧化物层，在金属氧化物层上形成与半导体层的一部分重叠的栅电极。然后，对半导体层中的不与栅电极重叠的区域通过金属氧化物层及栅极绝缘层供应第一元素。作为第一元素可以举出磷、硼、镁、铝及硅等。如果对金属氧化物层进行加工，在对半导体层供应第一元素之后进行该工序。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤： 形成氧化物半导体层； 在所述氧化物半导体层上形成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成金属氧化物层； 在所述金属氧化物层上形成与所述氧化物半导体层的一部分重叠的栅电极；以及 在对所述氧化物半导体层中的不与所述栅电极重叠的区域通过所述金属氧化物层及所述栅极绝缘层供应第一元素， 所述氧化物半导体层和所述金属氧化物层均包含铟、镓和锌， 其中，所述第一元素为磷、硼、镁、铝或硅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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