三星电子株式会社元东勋获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体晶片及切割半导体晶片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010673029.1，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权半导体晶片及切割半导体晶片的方法是由元东勋;李在银;高永权;许埈荣设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶片及切割半导体晶片的方法在说明书摘要公布了：提供了半导体晶片及切割半导体晶片的方法。该切割半导体晶片的方法包括：提供半导体衬底、切割区域和金属屏蔽层，半导体衬底具有在半导体衬底的有源表面上的多个集成电路区域，切割区域提供在所述多个集成电路区域中的相邻的集成电路区域之间，并且金属屏蔽层跨过所述相邻的集成电路区域的至少一部分和切割区域提供在有源表面上；通过沿着切割区域将激光照射到半导体衬底内部来形成改性层；通过抛光半导体衬底的与有源表面相反的无源表面，使裂纹在垂直于金属屏蔽层的长轴方向的方向上从改性层传播；以及通过基于从改性层传播的裂纹分别分离所述相邻的集成电路区域来形成半导体芯片。
本发明授权半导体晶片及切割半导体晶片的方法在权利要求书中公布了：1.一种切割半导体晶片的方法，所述方法包括： 提供半导体衬底、切割区域和金属屏蔽层，所述半导体衬底具有在所述半导体衬底的有源表面上的多个集成电路区域，所述切割区域提供在所述多个集成电路区域中的相邻的集成电路区域之间，并且所述金属屏蔽层跨过所述相邻的集成电路区域的至少一部分和所述切割区域提供在所述有源表面上； 通过沿着所述切割区域将激光照射到所述半导体衬底内部来形成改性层； 通过抛光所述半导体衬底的与所述有源表面相反的无源表面，使裂纹在垂直于所述金属屏蔽层的长轴方向的方向上从所述改性层传播；以及 通过基于从所述改性层传播的所述裂纹分别分离所述相邻的集成电路区域来形成半导体芯片， 所述方法进一步包括形成接触所述金属屏蔽层的多个金属垂直结构，所述多个金属垂直结构在垂直于所述有源表面的方向上穿过多个层间绝缘膜和多个金属布线连续地延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励