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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利多个器件芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010825811.0，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权多个器件芯片的制造方法是由松冈祐哉设计研发完成，并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本多个器件芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供多个器件芯片的制造方法，在对被加工物进行磨削而薄化从而分割的情况下防止器件芯片的角部缺损。该方法具有如下步骤：孔形成步骤，向被加工物的正面侧照射具有被被加工物吸收的波长的第1激光束，在多条分割预定线交叉的交叉部形成比相当于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔；正面保护步骤，利用保护部件覆盖被加工物的正面侧；内部加工步骤，将具有透过被加工物的波长的第2激光束的聚光点定位于被加工物的内部，沿着各分割预定线从被加工物的背面侧照射第2激光束，在被加工物的内部形成强度相对较低的区域；和背面侧磨削步骤，对被加工物的背面侧进行磨削直至成为完工厚度为止，将被加工物分割成多个器件芯片。

本发明授权多个器件芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多个器件芯片的制造方法，将在正面侧在由呈格子状设定的多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件的被加工物沿着各分割预定线分割成各个器件芯片而从该被加工物制造多个器件芯片，其特征在于， 该多个器件芯片的制造方法具有如下的步骤： 孔形成步骤，从该被加工物的外部向该正面侧照射具有被该被加工物吸收的波长的第1激光束，在该多条分割预定线交叉的交叉部形成比相当于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔； 正面保护步骤，利用保护部件覆盖该被加工物的该正面侧； 内部加工步骤，在将具有透过该被加工物的波长的第2激光束的聚光点定位在该被加工物的内部的位于比相当于该完工厚度的深度靠该被加工物的背面侧的位置的状态下，沿着各分割预定线从该背面侧照射该第2激光束，在该被加工物的内部形成强度比未照射该第2激光束的区域低的作为改质层的区域，全部的改质层距被加工物的正面侧的距离大于在所述孔形成步骤中形成的所述孔的深度，所述孔的深度大于相当于各器件芯片的完工厚度的深度；以及 背面侧磨削步骤，对该被加工物的该背面侧进行磨削直至该被加工物成为该完工厚度为止，并且将该被加工物分割成多个器件芯片。

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