台湾积体电路制造股份有限公司李苓玮获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010876211.7，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权封装结构及其制造方法是由李苓玮;张容华;黄震麟设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种封装结构及其制造方法。上述方法包括形成一导电结构于承载基底上方。导电结构具有一下部及一上部，且上部宽于下部。上述方法也包括设置一半导体芯片于承载基底上方。上述方法也包括形成一保护层以环绕导电结构及半导体芯片。另外，上述方法包括形成一导电凸块于导电结构上方。导电结构的下部位于导电凸块与导电结构的上部之间。
本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构的制造方法，包括： 形成一导电结构于一承载基底上，其中该导电结构具有一下部及一上部，且该上部宽于该下部，其中该上部及该下部具有不同的侧壁斜率； 设置一半导体芯片于该承载基底上； 形成一保护层，以环绕该导电结构及该半导体芯片，其中该保护层横向围绕具有不同的侧壁斜率的该导电结构的该下部及该上部的整体，且该保护层为单一层；以及 形成一导电凸块于该导电结构上，其中该导电结构的该下部与该导电凸块之间形成一接合界面，其中具有较大宽度的该导电结构的该上部相较于具有较小宽度的该导电结构的该下部更远离该导电凸块，且该下部的侧壁与该接合界面形成一钝角。
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