买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112490190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010933777.9，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权晶片的加工方法是由西田吉辉;饭田英一;千东谦太设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的加工方法，能够抑制器件芯片的抗弯强度降低。该晶片的加工方法是在正面侧具有功能层的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：激光加工步骤，照射激光束而沿着间隔道将功能层去除，并且沿着间隔道形成激光加工槽；切削槽形成步骤，利用切削刀具对晶片进行切削，沿着间隔道在激光加工槽的内侧形成切削槽；磨削步骤，对晶片的背面侧进行磨削而使晶片薄化，使切削槽在晶片的背面侧露出而将晶片分割成多个器件芯片；以及加工应变去除步骤，向晶片的背面侧提供等离子状态的气体，将形成于多个器件芯片的背面侧和侧部的加工应变去除，在加工应变去除步骤中，将形成于激光加工槽的周边的热影响层去除。

本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有构成多个器件的功能层，该多个器件配置于由多条间隔道划分的多个区域内，其特征在于， 该晶片的加工方法具有如下的步骤： 激光加工步骤，沿着该间隔道对该晶片的正面侧照射对于该晶片具有吸收性的激光束，从而一边沿着该间隔道将该功能层去除一边沿着该间隔道形成激光加工槽； 切削槽形成步骤，利用比该激光加工槽的宽度薄的切削刀具沿着该间隔道对该晶片的正面侧进行切削，从而沿着该间隔道在该激光加工槽的内侧形成深度超过该晶片的完工厚度的切削槽； 保护部件粘贴步骤，在实施了该切削槽形成步骤之后，在该晶片的正面侧粘贴保护部件； 磨削步骤，通过磨削装置的卡盘工作台隔着该保护部件而对该晶片进行保持，对该晶片的背面侧进行磨削而使该晶片薄化直至该晶片的厚度成为该完工厚度为止，从而使该切削槽在该晶片的背面侧露出而将该晶片分割成多个器件芯片；以及 加工应变去除步骤，向该晶片的背面侧提供等离子状态的气体，将形成于多个该器件芯片的背面侧和侧部的加工应变去除， 在该加工应变去除步骤中，将沿着该激光加工槽的两个侧端和底部残留的热影响层去除。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社迪思科，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。