北京北方华创微电子装备有限公司史晶获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115343200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210860054.X，技术领域涉及：G01N15/06；该发明授权工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备是由史晶设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备，属于半导体工艺技术。该方法在半导体工艺腔室闲置时，对半导体工艺腔室进行气体吹扫，且实时监测半导体工艺腔室中的异常气体浓度，得到相应的第一浓度值，异常气体浓度与潜在工艺颗粒源的浓度正相关；若第一浓度值大于所述第一阈值，则在气体吹扫的基础上，将预设气体通入半导体工艺腔室中，使得预设气体与半导体工艺腔室中的潜在工艺颗粒源发生化学反应，生成相应的反应物颗粒，且反应物颗粒在气体吹扫下进入与半导体工艺腔室连通的尾排处理器。本技术方案，可在半导体工艺处理过程中，有效清除半导体工艺腔室中的工艺颗粒，避免出现工艺颗粒超标影响产品良率的问题。
本发明授权工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体工艺腔室的工艺颗粒监测处理的方法，其特征在于，包括以下步骤： 在所述半导体工艺腔室闲置时，对所述半导体工艺腔室进行气体吹扫，且实时监测所述半导体工艺腔室中的异常气体浓度，得到相应的第一浓度值，所述异常气体浓度与潜在工艺颗粒源的浓度正相关，其中，所述异常气体浓度为二甲胺浓度； 若所述第一浓度值大于预设的第一阈值，则在气体吹扫的基础上，将预设气体通入所述半导体工艺腔室中，使得所述预设气体与所述半导体工艺腔室中的所述潜在工艺颗粒源发生化学反应，生成相应的反应物颗粒，且所述反应物颗粒在所述气体吹扫下进入与所述半导体工艺腔室连通的尾排处理器。
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