长鑫存储技术有限公司张文喜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利测试方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211123911.4，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权测试方法、装置、设备及存储介质是由张文喜;潘晓寒;夏饮虹设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供的测试方法、装置、设备及存储介质，首先分别在高温环境和低温环境下通过系统级测试机台和各标准参数值对预设数量的DRAM样品的各待测参数进行测试，得到对应的第一测试结果，然后在常温环境下，通过测试机台和各目标参数值对第一测试结果为失败的DRAM样品的各待测参数进行测试，得到对应的第二测试结果。若第二测试结果也为失败，则在常温环境下通过测试机台和各目标参数值对待测DRAM的各待测参数进行测试，实现常温环境替代高温环境和低温环境进行待测DRAM样品的STL测试，节约测试成本和测试时间。
本发明授权测试方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种测试方法，其特征在于，包括： 分别在高温环境和低温环境下，通过系统级测试机台和各标准参数值对预设数量的动态随机存取存储器DRAM样品的各待测参数进行测试，得到对应的第一测试结果； 在常温环境下，通过所述测试机台和各目标参数值对所述第一测试结果为失败的DRAM样品的各待测参数进行测试，得到对应的第二测试结果； 若所述第二测试结果为失败，在所述常温环境下通过所述测试机台和所述各目标参数值对待测DRAM的各待测参数进行测试，所述DRAM样品与所述待测DRAM为相同类型的DRAM，同一待测参数的目标参数值小于标准参数值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励