意法半导体国际公司C·米科利获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利高电子迁移率晶体管设备和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054687U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520116276.X，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型高电子迁移率晶体管设备和电子设备是由C·米科利;M·E·卡斯塔尼亚;M·马彻西;C·特林加里;F·尤克拉诺设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管设备和电子设备在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及高电子迁移率晶体管设备和电子设备。高电子迁移率晶体管设备包括：异质结构，异质结构包括沟道层和势垒层，势垒层沿第一轴延伸到沟道层上；介电保护层，介电保护层沿第一轴延伸到势垒层上；以及栅极区域，栅极区域沿第一轴延伸到介电保护层上，其中介电保护层沿第一轴具有小于10nm的厚度。
本实用新型高电子迁移率晶体管设备和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管设备，其特征在于，包括： 异质结构，所述异质结构包括沟道层和势垒层，所述势垒层在所述沟道层的第一表面上延伸； 介电保护层，所述介电保护层在所述势垒层的第一表面上延伸，所述势垒层的所述第一表面沿第一方向与所述沟道层相对； 第一导电端子，所述第一导电端子沿所述第一方向延伸完全穿过所述介电保护层和所述势垒层；以及 栅极区域，所述栅极区域在所述介电保护层上延伸。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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