先进光半导体(深圳)有限公司蔡勤彬获国家专利权
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龙图腾网获悉先进光半导体(深圳)有限公司申请的专利MOSFET芯片结构以及用于光MOSFET继电器的MOSFET芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054688U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520062987.3，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型MOSFET芯片结构以及用于光MOSFET继电器的MOSFET芯片是由蔡勤彬;林钦设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOSFET芯片结构以及用于光MOSFET继电器的MOSFET芯片在说明书摘要公布了：本实用新型实施例公开了一种MOSFET芯片结构以及用于光MOSFET继电器的MOSFET芯片，涉及半导体器件领域，该MOSFET芯片结构包括有源区以及终端区；所述终端区围绕在所述有源区的四周；所述有源区总面积与MOSFET芯片单个芯片面积的占比在15％‑30％之间；所述终端区总面积与MOSFET芯片单个芯片面积的占比在70％‑85％之间。增大有源区面积，进而减小有源区电阻，实现MOSFET导通电阻减小的效果。
本实用新型MOSFET芯片结构以及用于光MOSFET继电器的MOSFET芯片在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET芯片结构，其特征在于，包括有源区以及终端区； 所述终端区围绕在所述有源区的四周； 所述终端区总面积与MOSFET芯片单个芯片面积的占比在15%-30%之间； 所述有源区总面积与MOSFET芯片单个芯片面积的占比在70%-85%之间； 所述有源区包括漂移区、沟道、栅区、栅氧层以及至少两个源区；所述栅区设于所述栅氧层的上方，所述栅氧层设于所述沟道的上方，所述沟道以及所有所述源区分别设于所述漂移区的上方，所述沟道在两个所述源区之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人先进光半导体(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区福田街道福华社区深南中路3003号北方大厦1704；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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