青岛佳恩半导体有限公司王新强获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛佳恩半导体有限公司申请的专利一种由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054691U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520629274.0，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型一种由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构是由王新强;王丕龙;谭文涛;侯彩侠设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构，属于复合栅技术领域，该由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构包括：基底，所述基底为氮化镓外延层或异质衬底；复合栅结构，设置于所述基底上，由下至上依次为氮化铝层与P型氮化镓层的堆叠结构；T型场板，包括纵向延伸部和横向延伸部，所述纵向延伸部从复合栅结构两侧的侧壁垂直延伸至基底表面，所述横向延伸部覆盖纵向延伸部顶部并向沟道区水平延伸；钝化层，包覆所述T型场板的外表面以及基底的上表面，但不包括源极和漏极所占据的区域；源极与漏极，分别设置于所述复合栅结构两侧的基底表面，本实用新型解决了传统复合栅结构电场分布不均的弊端。
本实用新型一种由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构在权利要求书中公布了：1.一种由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底为氮化镓外延层或异质衬底； 复合栅结构，设置于所述基底上，由下至上依次为氮化铝层与P型氮化镓层的堆叠结构； T型场板，包括纵向延伸部和横向延伸部，所述纵向延伸部从复合栅结构两侧的侧壁垂直延伸至基底表面，所述横向延伸部覆盖纵向延伸部顶部并向沟道区水平延伸； 钝化层，包覆所述T型场板的外表面以及基底的上表面，但不包括源极和漏极所占据的区域； 源极与漏极，分别设置于所述复合栅结构两侧的基底表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛佳恩半导体有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市城阳区河套街道胶州湾综保区田海路207号023室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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