京东方科技集团股份有限公司胡合合获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示基板及显示装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224054695U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520153559.1,技术领域涉及:H10D86/60;该实用新型显示基板及显示装置是由胡合合;姚念琦;赵坤;郭晖;宁策;李正亮设计研发完成,并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示基板及显示装置在说明书摘要公布了:显示基板及显示装置,涉及显示技术领域。显示基板包括:衬底,以及层叠设置在衬底一侧的第一导电层、半导体层、第一绝缘层和第二导电层,第一导电层靠近衬底设置;第一导电层包括数据线以及多个第一导电结构,半导体层包括沿第一方向依次排布的源极连接区、第一导体化区、沟道区、第二导体化区和漏极连接区,第二导电层包括多个栅极,以及设置在栅极两侧的第一转接图案和第二转接图案;第一绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔,数据线和源极连接区分别与第一转接图案通过第一过孔搭接,第一导电结构和漏极连接区分别与第二转接图案通过第二过孔搭接,第一转接图案与第一导体化区无交叠,第二转接图案与第二导体化区无交叠。
本实用新型显示基板及显示装置在权利要求书中公布了:1.一种显示基板,包括位于显示区的多个子像素,所述显示基板包括: 衬底,以及依次层叠设置在所述衬底一侧的第一导电层、半导体层、第一绝缘层和第二导电层,所述第一导电层靠近所述衬底设置; 其中,所述第一导电层包括数据线以及位于不同子像素的多个第一导电结构,所述半导体层包括位于不同子像素的多个半导体图案,所述半导体图案包括沿第一方向依次排布的源极连接区、第一导体化区、沟道区、第二导体化区和漏极连接区,所述第二导电层包括位于不同子像素的多个栅极,以及沿所述第一方向相对设置在所述栅极两侧的第一转接图案和第二转接图案;并且 所述第一绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔暴露出所述数据线的一部分、所述源极连接区以及所述第一导体化区,所述第二过孔暴露出所述第一导电结构的一部分、所述漏极连接区以及所述第二导体化区,所述数据线和所述源极连接区分别与所述第一转接图案通过所述第一过孔搭接,所述第一导电结构和所述漏极连接区分别与所述第二转接图案通过所述第二过孔搭接,在所述衬底上的正投影中,所述第一转接图案与所述第一导体化区无交叠,所述第二转接图案与所述第二导体化区无交叠。
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