长鑫存储技术有限公司章中杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体晶圆及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110815109.0，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体晶圆及测试方法是由章中杰设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶圆及测试方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体晶圆及测试方法，半导体晶圆包括：衬底；衬底包括若干芯片区以及位于相邻芯片区之间的切割道区；电路测试器件，电路测试器件位于切割道区且具有若干个测试端口；防裂导电结构，防裂导电结构位于切割道区且绕芯片区设置，且位于电路测试器件与芯片区之间；至少一条第一导线层，第一导线层一端与相应的测试端口相连，另一端与邻近的防裂导电结构相连。本发明实施例通过利用防裂导电结构给电路测试器件提供测试信号，来解决切割道区导线布线空间不足的问题。
本发明授权半导体晶圆及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆，其特征在于，包括： 衬底； 所述衬底包括若干芯片区以及位于相邻所述芯片区之间的切割道区； 电路测试器件，所述电路测试器件位于所述切割道区且具有若干个测试端口； 防裂导电结构，所述防裂导电结构位于所述切割道区且绕所述芯片区设置，且位于所述电路测试器件与所述芯片区之间； 至少一条第一导线层，所述第一导线层一端与相应的所述测试端口相连，另一端与邻近的所述防裂导电结构相连； 若干第二焊盘结构，若干所述第二焊盘结构位于所述切割道区且与所述电路测试器件间隔设置； 第三导线层，所述第三导线层一端与所述第二焊盘结构相连，另一端与所述防裂导电结构相连。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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