长鑫存储技术有限公司余鹏祥获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、半导体结构的制备方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211475847.6，技术领域涉及：H10P14/692；该发明授权半导体结构、半导体结构的制备方法及装置是由余鹏祥设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体结构的制备方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及装置，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的制备成本高的技术问题，该制备方法包括提供衬底，衬底中形成有沟槽；向衬底的表面提供硅氧聚合物溶液，并此案有旋涂电介质工艺将硅氧聚合物溶液旋涂形成硅氧聚合物层，硅氧聚合物溶液中含有掺杂元素，掺杂元素包括硼元素和磷元素；对硅氧聚合物层进行热处理，其中，热处理的温度阈值为120℃～150℃。对硅氧聚合物层照射预设时长的超声波，以形成含有氢氧化硅键的多孔硅层；向多孔硅层提供氧化气体，氧化气体与多孔硅层中的氢氧化硅键反应，以形成硼磷硅玻璃膜；其中，硼磷硅玻璃膜填充沟槽。本申请能够降低半导体结构的制备成本。
本发明授权半导体结构、半导体结构的制备方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供衬底，所述衬底中形成有沟槽； 向所述衬底的表面提供硅氧聚合物溶液，并采用旋涂电介质工艺将所述硅氧聚合物溶液旋涂形成硅氧聚合物层，所述硅氧聚合物溶液中含有掺杂元素，所述掺杂元素包括硼元素和磷元素； 对所述硅氧聚合物层进行热处理，其中，所述热处理的温度阈值为120℃～150℃； 对所述硅氧聚合物层照射预设时长的超声波，以形成含有氢氧化硅键的多孔硅层； 向所述多孔硅层提供氧化气体，所述氧化气体与所述多孔硅层中的所述氢氧化硅键反应，以形成硼磷硅玻璃膜；其中，所述硼磷硅玻璃膜填充所述沟槽。
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