绍兴中芯集成电路制造股份有限公司梁路获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种VDMOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211493435.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种VDMOS器件及其制造方法是由梁路;韩廷瑜;高津爱设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种VDMOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种VDMOS器件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层；图案化栅极材料层和栅极介电层，以形成具有栅极挖断区域的栅极结构，其中，栅极结构包括至少两个栅极结构主体，以及位于相邻两个栅极结构主体之间的至少一个分隔结构，栅极结构主体与分隔结构之间为栅极挖断区域；沉积覆盖栅极结构的侧墙材料层；刻蚀侧墙材料层，以形成位于栅极结构两侧的栅极侧墙，以及位于栅极挖断区域中的离子注入阻挡层；以离子注入阻挡层为阻挡，对半导体衬底进行离子注入。本发明减小了栅漏电容，并且减少了栅极挖断工艺中所需的图案化工艺的次数。
本发明授权一种VDMOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层； 图案化所述栅极材料层和所述栅极介电层，以形成具有栅极挖断区域的栅极结构，其中，所述栅极结构包括至少两个栅极结构主体，以及位于相邻两个所述栅极结构主体之间的至少一个分隔结构，所述栅极结构主体与所述分隔结构之间为所述栅极挖断区域，所述栅极挖断区域的深宽比大于或等于2； 沉积覆盖所述栅极结构的侧墙材料层； 刻蚀所述侧墙材料层，以形成位于所述栅极结构两侧的栅极侧墙，以及位于所述栅极挖断区域中的离子注入阻挡层； 以所述离子注入阻挡层为阻挡，对所述半导体衬底进行离子注入。
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