意法半导体股份有限公司F·加纳佐获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利结势垒二极管和肖特基二极管的形成以及MPS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115841947B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211147481.X，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权结势垒二极管和肖特基二极管的形成以及MPS器件是由F·加纳佐;G·格雷克;F·罗卡福尔特;S·拉斯库纳设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本结势垒二极管和肖特基二极管的形成以及MPS器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及结势垒二极管和肖特基二极管的形成以及MPS器件。合并式PiN肖特基Merged‑PiN‑SchottkyMPS器件包括：固体，具有第一导电性；注入区域，延伸到固体中，面向固体的前侧，具有与第一导电性相对的第二导电性；以及半导体层，在前侧上延伸，由过渡金属二硫属化物TMD材料形成。半导体层的第一区域具有第二导电性，并且与注入区域电接触地延伸，并且半导体层的第二区域具有第一导电性，并且邻近第一区域，与前侧中具有第一导电性的相应表面部分电接触地延伸。
本发明授权结势垒二极管和肖特基二极管的形成以及MPS器件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： 在具有第一类型的导电性的固体的前侧处注入掺杂物质，所述掺杂物质具有与所述第一类型的导电性相对的第二类型的导电性，从而形成从所述前侧延伸到所述固体中的注入区域； 在所述前侧处形成过渡金属二硫属化物TMD材料的半导体层，所述半导体层具有所述第一类型的导电性； 通过掺杂物质将所述半导体层的第一区域选择性地功能化，从而在所述第一区域中生成所述第二类型的导电性，所述第一区域与所述注入区域电接触，并且与所述半导体层的具有所述第一类型的导电性的第二区域横向相邻，所述第二区域与具有所述第一类型的导电性的所述前侧的相应表面部分电接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：意大利阿格拉布里安扎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励