安华高科技股份有限公司刘清获国家专利权
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龙图腾网获悉安华高科技股份有限公司申请的专利具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管(FINFET)装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211087512.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管(FINFET)装置是由刘清设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管(FINFET)装置在说明书摘要公布了：本公开涉及具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管finFET装置。所述finFET装置可包含鳍结构，所述鳍结构具有第一部分、第二部分及第三部分。所述finFET装置可包含安置于所述第一部分的至少部分之上的第一栅极结构、安置于所述第一部分中的第一源极漏极区及安置于所述第三部分中的第二漏极源极区。所述第一、第二及第三部分中的每一者可包含一或多个鳍部。所述第二部分中的总鳍计数少于所述第一部分中的总鳍计数。所述第二部分可包含漂移区。还公开制造finFET的方法。所述finFET装置提供比常规finFET更低的导通电阻及更高的击穿电压。
本发明授权具有增强导通电阻及击穿电压的基于鳍的场效应晶体管(FINFET)装置在权利要求书中公布了：1.一种基于鳍的场效应晶体管finFET装置，其包括： 鳍结构，其包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分及第五部分； 安置于所述第一部分的至少部分之上的第一栅极结构和安置于所述第五部分的至少部分之上的第二栅极结构； 第一源极漏极区，其安置于所述第一部分中； 第二漏极源极区，其安置于所述第三部分中；及 第三源极漏极区，其安置于所述第五部分中； 其中： 所述第一、第三及第五部分中的每一者包括多个鳍部； 所述第一栅极结构安置于所述第一部分中的所述多个鳍部之上；且 所述第二部分中的鳍部的总数少于所述第一部分中的鳍部的总数且所述第四部分中的鳍部的总数少于所述第五部分中的鳍部的总数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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