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昕原半导体(上海)有限公司唐纳德·杨获国家专利权

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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司申请的专利将电阻式存储器系统集成到多核CPU管芯中以实现大规模存储器并行度获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115881188B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110982177.6,技术领域涉及:G11C13/00;该发明授权将电阻式存储器系统集成到多核CPU管芯中以实现大规模存储器并行度是由唐纳德·杨;布鲁斯·L·雅各布;迈赫迪·阿斯纳萨里;西尔万·杜布瓦设计研发完成,并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

将电阻式存储器系统集成到多核CPU管芯中以实现大规模存储器并行度在说明书摘要公布了:公开了一种单片式集成电路IC计算装置,其具有多个独立的处理核多核和充当系统存储器的嵌入式非易失性电阻式存储器。电阻式系统存储器制造在基板上,且包含处理核的逻辑电路制造在基板上。此外,至少部分地在基板上设置用于在电阻式系统存储器上操作的存取电路,以及包含存储器控制器、路由装置和其他逻辑部件的电路。数十或数百千兆字节GB的大主存储器容量被提供,并能与多个处理核一起运行,所有这些都位于单个芯片上。这种单片式集成在处理核和主存储器之间提供了紧密的物理接近,促进了显著的存储器并行度、降低了功耗并消除了片外主存储器存取请求。

本发明授权将电阻式存储器系统集成到多核CPU管芯中以实现大规模存储器并行度在权利要求书中公布了:1.一种集成电路装置,包括: 多个处理核,其形成在所述集成电路装置的基板上; 电阻式存储器阵列结构,其形成在所述集成电路装置的所述基板上方,所述电阻式存储器阵列结构包括多个电阻式存储器子阵列,每个电阻式存储器子阵列包括非易失性双端电阻式切换存储器单元; 存取电路,其至少部分地形成在所述集成电路装置的所述基板上,所述存取电路提供对所述多个电阻式存储器子阵列的相应电阻式存储器子阵列的独立操作性存取;以及多个存储器控制器,其包括第一组存储器控制器和第二组存储器控制器,所述第一组存储器控制器与所述多个处理核中的第一处理核通信地耦合,且能操作以从所述第一处理核接收第一存储器指令,并且响应于所述第一存储器指令在所述多个电阻式存储器子阵列中的第一组电阻式存储器子阵列上执行所述第一存储器指令,所述第二组存储器控制器与所述多个处理核中的第二处理核通信地耦合,且能操作以从所述第二处理核接收第二存储器指令,并且响应于所述第二存储器指令在所述多个电阻式存储器子阵列中的第二组电阻式存储器子阵列上执行该存储器指令,其中,所述第一存储器指令或所述第二存储器指令是返回少于128字节数据的存储器读取; 所述多个存储器控制器能够并发地服务于来自所述多个处理核的数量至少等于所述多个电阻式存储器子阵列的数量的若干主存储器请求。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人昕原半导体(上海)有限公司,其通讯地址为:201208 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号13幢304室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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