上海积塔半导体有限公司李钊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211415178.3，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法是由李钊;黄永彬;黄峰设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法。浅沟槽隔离结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，所述初始浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出多个间隔排布的有源区；于所述初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及所述基底的上表面形成牺牲层；去除所述牺牲层，以得到浅沟槽隔离结构。通过在初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及基底的上表面形成牺牲层，以对初始浅沟槽隔离结构进行保护，相较于常规的牺牲层只形成于基底的上表面的方式，本申请的牺牲层覆盖在初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及基底的上表面，在去除牺牲层时，初始浅沟槽隔离结构的侧壁以及上表面的边缘位置不会形成凹坑。
本发明授权浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底； 于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，所述初始浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出多个间隔排布的有源区； 于所述初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及所述基底的上表面形成牺牲层；其中，所述初始浅沟槽隔离结构的上表面外凸于所述基底的上表面，所述初始浅沟槽隔离结构的侧壁外露于所述基底，所述初始浅沟槽隔离结构的上表面和侧壁以及所述基底的上表面均与所述牺牲层接触； 去除所述牺牲层，以得到浅沟槽隔离结构。
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