中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司崔岩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115884602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211732320.7，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法是由崔岩;罗军;杨美音;许静设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于铁电铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法，电压调控单元在隧道结中的自由层与底电极之间施压电压，通过施加电压调控铁电层，使得铁电层可在未击穿状态和击穿状态之间切换；当铁电层处于未击穿状态时，影响自由层的磁各向异性能发生可逆的变化；当铁电层处于击穿状态时，影响自由层的永久性磁矩增大，使得自由层的磁各向异性能发生非易失性变化。
本发明授权一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于铁电铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元，其特征在于： 从下至上依次包括：衬底、底电极层、铁电层、磁隧道结、钉扎层；还包括电压调控单元； 其中， 钉扎层为反铁磁结构层，为垂直面内的磁各向异性； 磁隧道结为CoFeBMgOCoFeB，从下至上依次包括：自由层、隔离层和被钉扎层，钉扎层将被钉扎层的磁矩钉扎在一个固定方向； 铁电层为HfZrO，铁电层通过电压调控电压施加电场影响自由层的磁矩方向； 电压调控单元在隧道结中的自由层与底电极层之间施压电压，通过施加电压调控铁电层，使得铁电层可在未击穿状态和击穿状态之间切换；当铁电层处于未击穿状态时，影响自由层的磁各向异性能发生可逆的变化；当铁电层处于击穿状态时，影响自由层的永久性磁矩增大，使得自由层的磁各向异性能发生非易失性变化。
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