苏州纳维科技有限公司徐琳获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州纳维科技有限公司申请的专利一种半导体晶体材料的生长装置及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115896937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211679099.3，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权一种半导体晶体材料的生长装置及其生长方法是由徐琳;孙璐;杜强强设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体晶体材料的生长装置及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体晶体材料的生长装置及其生长方法，该装置和生长方法能够对晶体生长过程中或生长结束之后的降温过程中产生的裂纹进行检测；装置可以使用传统的HVPE法的高温反应炉，对传统的高温反应炉的石英托盘下方通过双层连杆连接，在双层连杆内部具有谐振腔和压电换能器，能够将托盘上的晶体在生长过程中或降温过程中产生裂纹时振动的声波信号进行采集并放大，并将采集的信号转化成电信号，以检测晶体是否有裂纹产生；通过该装置和方法能够确定裂纹是在哪个阶段产生，并改进相应的工序，可以降低不必要的原材料及时间成本浪费。
本发明授权一种半导体晶体材料的生长装置及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶体材料的生长装置，其特征在于：包含生长炉体1以及位于生长炉体外部的信号处理系统，生长炉体1内设置有托盘2，以及与托盘2连接的双层连杆3；所述双层连杆3包含内谐振薄壁结构5和外谐振薄壁结构6，外谐振薄壁结构6通过多个连接顶针8与内谐振薄壁结构5连接固定，外谐振薄壁结构6与内谐振薄壁结构5之间的空间形成外谐振腔，内谐振薄壁结构5的内侧空间形成内谐振腔；所述内谐振腔中设置有压电换能器7，压电换能器7与内谐振薄壁结构5固定连接，压电换能器7与信号处理系统电连接；所述托盘2用于承载晶体，晶体在生长和或降温过程中产生的声波振动经过双层连杆3传递给压电换能器7，并由压电换能器7输出电信号并反馈至信号处理系统；信号处理系统对所述电信号进行检测，如果有信号异常，则停止生长阶段并记录此时的生长阶段。
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