散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所周良获国家专利权
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龙图腾网获悉散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所申请的专利一种中子开关插入件和中子谱仪分束系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115902999B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211438044.3，技术领域涉及：G01T3/00；该发明授权一种中子开关插入件和中子谱仪分束系统是由周良;胡春明;丁超;邱杰设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中子开关插入件和中子谱仪分束系统在说明书摘要公布了：一种中子开关插入件和中子谱仪分束系统。中子开关插入件包括真空罩体、第一中子导管和第二中子导管。真空罩体包括真空腔，真空腔具有连通的第一端口和第二端口，第一中子导管与第二中子导管成角度设置在真空腔内。由于真空罩体的真空腔内设有成夹角设置的第一中子导管和第二中子导管，经由中子开关插入件可以传输两条成角度的中子束流，使得中子反应堆或靶站可以同时输出两条中子束流到两个独立的谱仪大厅，大幅提高反应堆或者靶站的利用率。
本发明授权一种中子开关插入件和中子谱仪分束系统在权利要求书中公布了：1.一种中子开关插入件，用于现有的未考虑分束的中子靶站，其特征在于，包括： 真空罩体，所述真空罩体具有真空腔，所述真空腔具有第一端口和第二端口，所述第一端口与所述第二端口连通，所述第一端口处设有第一中子束窗，所述第二端口处设有第二中子束窗； 第一中子导管，所述第一中子导管设于所述真空腔内，所述第一中子导管由所述第一端口延伸至所述第二端口； 以及，第二中子导管，所述第二中子导管设于所述真空腔内，所述第二中子导管由所述第一端口延伸至所述第二端口，所述第二中子导管与所述第一中子导管成夹角设置； 所述第一端口用于插入中子开关，以在所述中子开关打开时，中子束从所述第一端口处的第一中子束窗射入所述第一中子导管和所述第二中子导管，以传输两条成角度的中子束流。
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