华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司董俊获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利提前获取套刻下货值的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115903395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211400492.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权提前获取套刻下货值的方法是由董俊;张其学;宋振伟;王雷设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本提前获取套刻下货值的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提前获取套刻下货值的方法，包括：针对多个不同厚度的外延层分别进行光刻；对光刻后的所述外延层进行量测以得到多组套刻偏差数据；根据所述外延层的厚度和所述套刻偏差数据，建立多个拟合函数；根据所述拟合函数和需要进行光刻的外延层的厚度，获取所述需要进行光刻的外延层的套刻下货值。本申请通过对不同厚度的外延层进行光刻，并获取多组套刻偏差数据，利用套刻偏差数据，建立拟合函数，最后利用拟合函数可以提前获取需要进行光刻的外延层的套刻下货值，提高了外延层套刻精度，保证了套刻的准确性，也避免了因overlay异常导致的外延层需要光刻返工的情况。
本发明授权提前获取套刻下货值的方法在权利要求书中公布了：1.一种提前获取套刻下货值的方法，其特征在于，包括： 针对多个不同厚度的外延层分别进行光刻； 对光刻后的所述外延层进行量测以得到多组套刻偏差数据，其中，各组所述套刻偏差数据包括：最大套刻偏移量、最小套刻偏移量和多个中间套刻偏移量； 根据所述外延层的厚度和所述套刻偏差数据，建立多个拟合函数； 根据所述拟合函数和需要进行光刻的外延层的厚度，获取所述需要进行光刻的外延层的套刻下货值； 其中，所述根据所述外延层的厚度和所述套刻偏差数据，建立多个拟合函数的步骤包括： 根据所述外延层的厚度和所述最大套刻偏移量，建立第一拟合函数； 根据所述外延层的厚度和所述最小套刻偏移量，建立第二拟合函数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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