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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种改善CMOS图像传感器性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211491968.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种改善CMOS图像传感器性能的方法是由孙浩;米魁;程刘锁;王柯设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善CMOS图像传感器性能的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善CMOS图像传感器性能的方法，在P型衬底上形成N阱和位于N阱一侧的P阱；在P阱内靠近P型衬底上表面的区域分别形成第一、第二N+区；在P型衬底上表面分别形成位于N阱和P阱之间的转移管栅极和位于第一、第二N+区之间的复位管栅极；在N阱浅区域靠近转移管栅极一侧形成非晶化层；在非晶化层的下表面形成Pin阻挡层；形成自对准硅化物阻挡层，自对准硅化物阻挡层覆盖在非晶化层上表面并连续延伸至转移管栅极表面、第一N+区上表面、复位管表面以及第二N+区上表面。本发明的方法可降低后续工艺带来的等离子体诱发损伤，减少暗电流和白像素的产生；提高光电二极管的满阱容量；能减小因Si和氧化硅界面处缺陷而产生的暗电流。

本发明授权一种改善CMOS图像传感器性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善CMOS图像传感器性能的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N阱和位于所述N阱一侧的P阱；在所述P阱内靠近所述P型衬底上表面的区域分别形成第一、第二N+区；在所述P型衬底上表面形成一层栅氧层和多晶硅层，之后刻蚀所述栅氧层和所述多晶硅层，分别形成位于所述N阱和所述P阱之间的转移管栅极和位于所述第一、第二N+区之间的复位管栅极；所述转移管栅极包括位于所述P型衬底上的第一栅氧层结构和位于所述第一栅氧层结构上的转移管多晶硅结构；所述复位管栅极包括位于所述P型衬底上的第二栅氧层结构和位于所述第二栅氧层结构上的复位管多晶硅结构； 步骤二、在所述N阱浅区域靠近所述转移管栅极一侧形成非晶化层； 步骤三、在所述非晶化层的下表面形成Pin阻挡层； 步骤四、形成自对准硅化物阻挡层，所述自对准硅化物阻挡层覆盖在所述非晶化层上表面并连续延伸至所述转移管栅极表面、第一N+区上表面、复位管表面以及第二N+区上表面。

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