三星电子株式会社洪硕佑获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210661382.7，技术领域涉及：H10H20/83；该发明授权半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法是由洪硕佑;金铉埈;金东均;金东湖;朴俊勇;黄京旭;黄俊式设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法。该半导体发光器件包括：半导体结构，包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；侧延伸结构，与半导体结构的侧壁相邻设置；第一电极，具有延伸穿过第二半导体层和发光层并电连接到第一半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分；以及第二电极，具有电连接到第二半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分。
本发明授权半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光器件，包括： 半导体结构，包括第一半导体层、发光层和第二半导体层； 侧延伸结构，与所述半导体结构的侧壁相邻设置； 第一电极，具有延伸穿过所述第二半导体层和所述发光层并电连接到所述第一半导体层的第一部分、以及在所述侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分；以及 第二电极，具有电连接到所述第二半导体层的第一部分、以及在所述侧延伸结构的所述上表面上在所述水平方向上延伸的第二部分， 其中所述侧延伸结构包括： 第一侧延伸结构，与所述半导体结构的所述侧壁间隔开并与所述半导体结构的所述侧壁相邻设置；以及 第二侧延伸结构，设置在所述半导体结构的所述侧壁和所述第一侧延伸结构之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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