长江存储科技有限责任公司刘沙沙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利3D存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115968202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310036887.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权3D存储器件及其制造方法是由刘沙沙设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种3D存储器件及其制造方法，3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极导体；以及贯穿栅叠层结构的多个沟道柱，沟道柱包括位于沟道柱侧壁的功能层、位于沟道柱底部的氧化层以及位于功能层和氧化层上的沟道层；沟道层位于外延层上方，并与外延层接触；其中，功能层包括栅氧化层、位于栅氧化层上的电荷存储层以及位于电荷存储层上的隧穿氧化层；电荷存储层在功能层的拐角处与沟道层隔离。本发明实施例中电荷存储层在功能层的拐角处与沟道层隔离，避免电荷存储层上的电荷泄漏到沟道层中，从而提高3D存储器的底部选择栅极的阈值电压的稳定性。
本发明授权3D存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种3D存储器件，其特征在于，包括： 栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极导体；以及 贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱；所述沟道柱包括沿着所述沟道柱径向依次设置的沟道层、隧穿氧化层、电荷存储层以及栅氧化层；其中，所述栅氧化层与所述隧穿氧化层至少在所述电荷存储层的底部相连接，所述栅氧化层的部分与所述隧穿氧化层的部分在所述电荷存储层之下堆叠设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励