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龙图腾网获悉北京国联万众半导体科技有限公司申请的专利高压GaN MIS-HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310045518.6，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权高压GaN MIS-HEMT器件及其制备方法是由冯旺;周国;付兴中;谭永亮;秦龙;张晓磊;安国雨;刘相伍;刘育青;李雪荣;邵欣欣;张洋阳设计研发完成，并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压GaN MIS-HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压GaNMIS‑HEMT器件及其制备方法，包括如下步骤：制备无栅场板的GaNMIS‑HEMT器件；在无栅场板的GaNMIS‑HEMT器件上制备第一层栅场板；在具有第一层栅场板的GaNMIS‑HEMT器件表面依次淀积第一钝化介质层与第二钝化介质层；在刻蚀预留出的第二层栅场板位置处制备制备第二层栅场板，并在第二层栅场板上制备第三层栅场板；在器件表面淀积第三钝化介质层；在通过刻蚀预留出来的第四层栅场板对应的第三钝化介质层上形成第四层栅场板设置位置，在所述第四层栅场板设置位置内制备第四层栅场板，并在所述第四层栅场板的上侧形成第五层栅场板。所述方法工艺流程简洁，并且可提高击穿电压以及器件的可靠性。

本发明授权高压GaN MIS-HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高压GaNMIS-HEMT器件制备方法，其特征在于包括如下步骤： 1制备无栅场板的GaNMIS-HEMT器件； 2在无栅场板的GaNMIS-HEMT器件上制备第一层栅场板1； 3在具有第一层栅场板1的GaNMIS-HEMT器件表面依次淀积第一钝化介质层2与第二钝化介质层3； 4刻蚀或者腐蚀第二钝化介质层3并终止于第一钝化介质层2，在相应位置预留出第二层栅场板设置位置4与第四层栅场板对准位置5； 5在预留出的第二层栅场板设置位置4处制备第二层栅场板6，并在第二层栅场板6上设置第三层栅场板7，且第三层栅场板7在上下投影方向上与所述第一层栅场板1具有部分重叠； 6在步骤5后的器件表面淀积第三钝化介质层8； 7在第四层栅场板对准位置5上侧的第三钝化介质层8上形成第四层栅场板设置位置9，在所述第四层栅场板设置位置9内设置第四层栅场板10，并在所述第四层栅场板10的上侧形成第五层栅场板11，所述第五层栅场板11在上下投影方向上与所述第三层栅场板7具有部分重叠； 8通过刻蚀或者腐蚀，将源电极12以及漏电极13上方的介质去掉，完成具有五层栅场板的高压GaNMIS-HEMT器件的制备。

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