电子科技大学徐跃杭获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种隔离度可调的超宽带大功率单刀双掷开关电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115987256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310045112.8,技术领域涉及:H03K17/00;该发明授权一种隔离度可调的超宽带大功率单刀双掷开关电路是由徐跃杭;朱世泉;延波;徐锐敏设计研发完成,并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种隔离度可调的超宽带大功率单刀双掷开关电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种隔离度可调的超宽带大功率单刀双掷开关电路,属于微波集成电路技术领域。该电路的第一支路和第二支路结构参数相同,且关于微带线MILN1对称,第一支路和第二支路均可作为导通或隔离支路,因此,可以将其中一条支路作为导通支路对输入信号进行低插损传输,另一条支路作为隔离支路阻断输入信号传输,从而使整个电路兼具低插损与高隔离度。此外,通过调节可重构枝节中晶体管Q7的控制电压,即可进一步改善隔离度并使其随所需工作频段的改变而调节。在本发明电路中,隔离度的调节不影响开关的功率容量和另一支路的插损,解决了大功率单刀双掷开关工作带宽对隔离度的限制以及高频隔离度差的问题。
本发明授权一种隔离度可调的超宽带大功率单刀双掷开关电路在权利要求书中公布了:1.一种隔离度可调的超宽带大功率单刀双掷开关电路,包括Port1端口、微带线MILN1、第一支路、第二支路、Port2端口以及Port3端口,其特征在于: 所述微带线MILN1的一端连接Port1端口,另一端分别经第一支路连接Port2端口、经第二支路连接Port3端口; 所述第一支路包括:微带线:MILN2、MILN3、MILN4、MILN5、MILN6、MILN7和MILN8;晶体管:Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6和Q7;上拉电阻:R1-1、R1-2、R1-3、R1-4、R1-5、R1-6和上拉电阻R2;电阻R3;电容C1;其中,微带线MILN2的一端连接微带线MILN1,另一端经依次串联微带线MILN3、微带线MILN4、微带线MILN5、微带线MILN6、微带线MILN7、微带线MILN8后与Port2端口相连;晶体管Q1的漏极连接微带线MILN2的另一端,源极连接微带线MILN3的一端,栅极连接电阻R1-1的一端;晶体管Q2的漏极连接微带线MILN3的另一端,源极连接微带线MILN4的一端,栅极连接电阻R1-2的一端;晶体管Q3的漏极连接在微带线MILN4与微带线MILN5之间,源极接地,栅极连接电阻R1-3的一端;晶体管Q4的漏极连接在微带线MILN5与微带线MILN6之间,源极接地,栅极连接电阻R1-3的一端;晶体管Q5的漏极连接在微带线MILN6与微带线MILN7之间,源极接地,栅极连接电阻R1-5的一端;晶体管Q6的漏极连接在微带线MILN7与微带线MILN8之间,源极连接晶体管Q7的漏极和电容C1的一端,栅极连接电阻R1-6的一端;晶体管Q7的源极与电容C1的另一端相连后接地;栅极经电阻R2接直流控制电源Vgc;电阻R1-1、R1-2的另一端相连后接直流电源Vg1,电阻R1-3、R1-4、R1-5和R1-6的另一端相连后接直流电源Vg2;电阻R3的一端连接微带线MILN3的另一端和晶体管Q2的漏极,另一端连接微带线MILN4的一端和晶体管Q2的源极;晶体管Q7、电容C1和电阻R2共同构成可重构枝节,通过调整可重构枝节中晶体管Q7的控制电压,调节工作频段内隔离度; 所述第二支路与第一支路结构参数均相同,且与第一支路关于微带线MILN1对称,第二支路的微带线MILN8与Port3端口相连。
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