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龙图腾网获悉力旺电子股份有限公司申请的专利单一多晶硅层非易失性存储单元及其相关阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996573B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210712472.4，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权单一多晶硅层非易失性存储单元及其相关阵列结构是由陈学威;萧婉匀;陈纬仁;孙文堂设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本单一多晶硅层非易失性存储单元及其相关阵列结构在说明书摘要公布了：本发明为一种具可编程可抹除的单一多晶硅层非易失性存储单元及其相关阵列结构。在阵列结构的存储单元中，辅助栅极区域由至少两个平板电容器所组成，且至少两个平板电容器其中之一为多晶硅多晶硅平板电容器，另一则为金属多晶硅平板电容器。由于平板电容器的构造简单、制作工艺容易，还可以有效地降低存储单元的尺寸size。

本发明授权单一多晶硅层非易失性存储单元及其相关阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种具可编程可抹除的单一多晶硅层非易失性存储单元的阵列结构，该阵列结构制作于基板上，该阵列结构包括： 隔离结构，形成于该基板上，且该隔离结构将该基板表面区分为第一区域与第二区域； 第一阱区，形成于该基板的该第一区域表面下方； 第二阱区，形成于该基板的该第二区域表面下方； 第一栅极结构与第二栅极结构，形成于该第一区域表面，且该第一栅极结构与该第二栅极结构将该第一区域表面区分为第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区，其中该第一栅极结构连接至第一选择栅极线，该第二栅极结构向外经过该隔离结构表面并延伸至该第二区域且覆盖于部分的该第二区域，该第一掺杂区连接至源极线，且该第三掺杂区连接至第一位线； 第三栅极结构，仅形成于隔离结构上，且该第三栅极结构位于该第二栅极结构的第一侧，该第三栅极结构并未接触于该第二栅极结构； 第四掺杂区，形成于该第二区域表面下方，且该第四掺杂区连接至抹除线；以及 金属层，形成于该第二栅极结构的上方，且该金属层电连接至该第三栅极结构，且该金属层连接至辅助栅极线； 其中，该第一栅极结构包括第一栅极氧化层与第一多晶硅栅极层，该第二栅极结构包括第二栅极氧化层与第二多晶硅栅极层，该第三栅极结构包括第三栅极氧化层与第三多晶硅栅极层； 其中，该第一掺杂区、该第一栅极结构与该第二掺杂区形成第一选择晶体管；该第二掺杂区、该第二栅极结构与该第三掺杂区形成第一浮动栅晶体管；该第二栅极结构与该第四掺杂区形成第一金属氧化物半导体电容器；该第二多晶硅栅极层与该第三多晶硅栅极层形成第一多晶硅多晶硅平板电容器；该第二多晶硅栅极层与金属层形成第一金属多晶硅平板电容器； 其中，该阵列结构的第一存储单元包括：该第一选择晶体管、该第一浮动栅晶体管、该第一金属氧化物半导体电容器、该第一多晶硅多晶硅平板电容器与该第一金属多晶硅平板电容器。

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